5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXXH75N60B3D1
IXXH75N60B3D1 PDF预览

IXXH75N60B3D1

更新时间： 2024-01-15 00:22:20
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 187K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXXH75N60B3D1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

IXXH75N60B3D1 数据手册

 浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXXH75N60B3D1的Datasheet PDF文件第7页 
XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 600V  
IC110 = 75A  
VCE(sat) ≤ 1.85V  
tfi(typ) = 125ns  
IXXH75N60B3D1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
160  
75  
30  
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
300  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
A
500  
mJ  
A
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5Ω  
ICM = 150  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
z Optimized for 5-30kHz Switching  
z Square RBSOA  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z Avalanche Capability  
(SCSOA)  
RG = 22Ω, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
750  
W
z Short Circuit Capability  
z International Standard Package  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z High Power Density  
z 175°C Rated  
z Extremely Rugged  
z Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Power Inverters  
z UPS  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z Motor Drives  
z SMPS  
5.5  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
25 μA  
3 mA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
1.60  
2.00  
1.85  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100328B(01/13)  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXXH75N60B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH75N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH75N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60C3D1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH80N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH80N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK100N60B3H1 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1 IXYS

获取价格

 		XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IXXH75N60B3D1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证