5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1 PDF预览

IXXH60N65B4H1

更新时间： 2023-12-06 20:13:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 257K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXXH60N65B4H1 数据手册

 浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXXH60N65B4H1的Datasheet PDF文件第7页 
XPTTM 650V IGBT  
VCES = 650V  
IC110 = 60A  
VCE(sat)  2.2V  
tfi(typ) = 43ns  
IXXH60N65B4H1  
GenX4TM w/ Sonic Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
C
Tab  
=
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
145  
60  
47  
A
A
A
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
265  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
ICM = 120  
A
Features  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
Optimized for 5-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Sonic Diode  
Short Circuit Capability  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
536  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Package  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
Weight  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
25 A  
mA  
100 nA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
3
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
1.8  
2.1  
2.2  
V
V
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100494D(9/16)  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IXXH60N65B4H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH60N65C4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH75N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH75N60B3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3D1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH75N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH75N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60C3D1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH80N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH80N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

与IXXH60N65B4H1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证