Datasheet > IXXH75N60B3

IXXH75N60B3

更新时间： 2024-02-25 11:13:04

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXH75N60B3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	750 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	108 ns	Base Number Matches：	1

IXXH75N60B3 数据手册

Advance Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 600V

I_C110= 75A

V_CE(sat)≤ 1.85V

t_fi(typ)= 125ns

IXXH75N60B3

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 150

μs

Features

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

^zOptimized for 5-30kHz Switching

^zSquare RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 22Ω, Non Repetitive

^zAvalanche Capability

^zShort Circuit Capability

^zInternational Standard Package

P_C

T_C= 25°C

750

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zHigh Power Density

^z175°C Rated

^zExtremely Rugged

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zMotor Drives

^zSMPS

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

5.5

25 μA

2 mA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.60

2.00

1.85

DS100327(05/11)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXXH75N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXH75N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH75N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH75N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60C3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH80N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH80N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK100N60B3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode

与IXXH75N60B3相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

10
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH75N60B3

IXXH75N60B3 技术参数

IXXH75N60B3 数据手册

与IXXH75N60B3相关器件

与IXXH75N60B3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH75N60B3

IXXH75N60B3 技术参数

IXXH75N60B3 数据手册

与IXXH75N60B3相关器件

与IXXH75N60B3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？