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IXXH50N60C3

更新时间： 2024-09-15 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 199K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXXH50N60C3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37

IXXH50N60C3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V  
GenX3TM  
IXXH50N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 50A  
VCE(sat) ≤ 2.30V  
tfi(typ) = 42ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
100  
50  
A
A
G = Gate  
C
Collector  
Tab = Collector  
E = Emitter  
TC = 25°C, 1ms  
200  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
A
200  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 100  
A
μs  
W
Features  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
z Optimized for 20-60kHz Switching  
z Square RBSOA  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 22Ω, Non Repetitive  
z Avalanche Capability  
PC  
TC = 25°C  
600  
z Short Circuit Capability  
z International Standard Package  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z High Power Density  
z 175°C Rated  
z Extremely Rugged  
z Low Gate Drive Requirement  
z Easy to Parallel  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z Power Inverters  
z UPS  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE= 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE= 0V  
V
V
z Motor Drives  
z SMPS  
5.5  
25 μA  
2 mA  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.95  
2.45  
2.30  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100265A(02/13)  
1234567

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与IXXH50N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH50N60C3D1 IXYS

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 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH60N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH60N65B4H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXH60N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH60N65C4 LITTELFUSE

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IXXH75N60B3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH75N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD

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