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IXXH50N60C3D1 PDF预览

IXXH50N60C3D1

更新时间： 2024-11-18 11:08:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 194K
描述
Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching

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IXXH50N60C3D1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247AD包装说明：TO-247AD, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：4.32外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：600 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：170 ns标称接通时间 (ton)：69 ns
Base Number Matches：1

IXXH50N60C3D1 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 600V  
IXXH50N60C3D1  
VCES = 600V  
IC110 = 50A  
VCE(sat) ≤ 2.30V  
tfi(typ) = 42ns  
GenX3TM w/ Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
C
Tab  
=
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
100  
50  
30  
A
A
A
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
200  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
A
Features  
200  
mJ  
z Optimized for 20-60kHz Switching  
z Square RBSOA  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 100  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@ ≤ VCES  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z Avalanche Capability  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 22Ω, Non Repetitive  
z Short Circuit Capability  
z International Standard Package  
PC  
TC = 25°C  
600  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
-55 ... +175  
z High Power Density  
z 175°C Rated  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z Extremely Rugged  
z Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Power Inverters  
z UPS  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE= 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE= 0V  
V
V
z Motor Drives  
z SMPS  
5.5  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
25 μA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
3 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.95  
2.45  
2.30  
V
V
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100274(12/10)  
1234567

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IXXH50N60C3D1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 IGBT HighSpeed 3
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 60 A, 600 V, very low drop IGBT
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