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STGW50HF60S

更新时间： 2024-11-21 21:17:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
11页	739K
描述
60 A, 600 V, very low drop IGBT

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STGW50HF60S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	110 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	284 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	950 ns
标称接通时间 (ton)：	69 ns	Base Number Matches：	1

STGW50HF60S 数据手册

STGW50HF60S

60 A, 600 V, very low drop IGBT

Features

■ Very low on-state voltage drop

■ Low switching off

■ High current capability

Applications

■ PV inverter

■ UPS

TO-247

Description

STGW50HF60S is a very low drop IGBT based

on new advanced planar technology, showing

extremely low on-state voltage and limited turn-off

losses. The overall performance makes this IGBT

ideal in low frequency switches of mixed

frequency topologies for PF ≤ 1.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

STGW50HF60S

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW50HF60S

Tube

January 2011

Doc ID 16989 Rev 2

1/11

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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STGW50HF60S 替代型号

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