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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
双极性晶体管 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 1075K | ![]() |
描述 | ||
60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGW50NB60H | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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STGW50NB60M | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
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STGW60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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STGW60H65DFB-4 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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STGW60H65FB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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STGW60V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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STGW60V60F | STMICROELECTRONICS |
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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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STGW75H65DFB2-4 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
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STGW75M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗 |
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STGW80H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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