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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 2.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 52 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 272 ns | 标称接通时间 (ton)： | 32 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGWA20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packa |
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| STGWA20HP65FB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packa |
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| STGWA20IH65DF | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads p |
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| STGWA20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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| STGWA25H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGWA25H120F2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGWA25IH135DF2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT in a TO-247 long leads |
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| STGWA25M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGWA30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packa |
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| STGWA30HP65FB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packa |
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