Datasheet > STGW50HF60SD

STGW50HF60SD

更新时间： 2024-02-29 20:41:02

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
13页	753K
描述
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STGW50HF60SD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.63
最大集电极电流 (IC)：	110 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	284 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	950 ns
标称接通时间 (ton)：	69 ns	Base Number Matches：	1

STGW50HF60SD 数据手册

STGW50HF60SD

60 A, 600 V, very low drop IGBT

with soft and fast recovery diode

Features

■ Very low on-state voltage drop

■ Low switching off

■ High current capability

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Application

■ PV inverter

■ UPS

TO-247

Description

STGW50HF60SD is a very low drop IGBT based

on new advanced planar technology, showing

extremely low on-state voltage and limited turn-off

losses. The overall performance makes this IGBT

ideal in low frequency switches of mixed

frequency topologies for PF ≤1.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

STGW50HF60SD

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW50HF60SD

Tube

December 2010

Doc ID 16818 Rev 2

1/13

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与STGW50HF60SD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STGW50HF65SD	STMICROELECTRONICS	获取价格	60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
STGW50NB60H	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGW60H65DFB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGW60H65DFB-4	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGW60H65FB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGW60V60DF	STMICROELECTRONICS	获取价格	600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
STGW60V60F	STMICROELECTRONICS	获取价格	600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
STGW75H65DFB2-4	STMICROELECTRONICS	获取价格	Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package
STGW75M65DF2	STMICROELECTRONICS	获取价格	沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗