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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 326K | |
描述 | ||
Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGW75M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗 | |
STGW80H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | |
STGW80H65DFB-4 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | |
STGW80V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT | |
STGW80V60F | STMICROELECTRONICS |
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600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT | |
STGW8M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT | |
STGWA100H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads pa | |
STGWA15H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGWA15H120F2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGWA15M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |