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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 20 weeks |
| 风险等级： | 1.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 最高工作温度： | 175 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 469 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW80H65DFB-4 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW80V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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| STGW80V60F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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| STGW8M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGWA100H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads pa |
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| STGWA15H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGWA15H120F2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGWA15M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGWA19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode |
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| STGWA20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packa |
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