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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1005 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 75 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW60H65DFB-4 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW60H65FB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW60V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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| STGW60V60F | STMICROELECTRONICS |
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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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| STGW75H65DFB2-4 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
|
| STGW75M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗 |
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| STGW80H65DFB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW80H65DFB-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW80V60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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