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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 190 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 830 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 220 ns | 标称接通时间 (ton)： | 95 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXXH110N65B4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热 |
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| IXXH110N65C4 | LITTELFUSE |
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| IXXH140N65B4 | LITTELFUSE |
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| IXXH140N65C4 | LITTELFUSE |
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| IXXH150N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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| IXXH30N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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| IXXH30N60B3D1 | IXYS |
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XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode |
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| IXXH30N60B3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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| IXXH30N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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| IXXH30N60C3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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