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IXXH30N60B3D1

更新时间： 2024-09-14 12:46:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 199K
描述
XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode

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IXXH30N60B3D1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：7.41外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：270 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：292 ns标称接通时间 (ton)：57 ns
Base Number Matches：1

IXXH30N60B3D1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 600V  
IC110 = 30A  
VCE(sat) ≤ 1.85V  
tfi(typ) = 125ns  
IXXH30N60B3D1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
60  
30  
30  
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
115  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
20  
A
250  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 48  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
z Optimized for 5-30kHz Switching  
z Square RBSOA  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z Avalanche Capability  
(SCSOA)  
RG = 82Ω, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
270  
z Short Circuit Capability  
z International Standard Package  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z High Power Density  
z 175°C Rated  
z Extremely Rugged  
z Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Power Inverters  
z UPS  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z Motor Drives  
z SMPS  
5.5  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
100 μA  
1 mA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 24A, VGE = 15V, Note 1  
1.66  
1.97  
1.85  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100334A(01/13)  
1234567

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IXXH30N60B3D1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXSH20N60B2D1 IXYS

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
IXSH30N60AU1 IXYS

类似代替

 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capa

与IXXH30N60B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH30N60C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N65C4D1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH40N65C4D1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH50N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60B3D1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH50N60B3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60C3 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH50N60C3D1 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching

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