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IXXH30N60B3D1

更新时间： 2024-11-18 12:46:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	199K
描述
XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode

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IXXH30N60B3D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.41	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	270 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	292 ns	标称接通时间 (ton)：	57 ns
Base Number Matches：	1

IXXH30N60B3D1 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 1.85V

t_fi(typ)= 125ns

IXXH30N60B3D1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

115

I_A

E_AS

T_C= 25°C

250

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

μs

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

^zOptimized for 5-30kHz Switching

^zSquare RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zAvalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 82Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

270

^zShort Circuit Capability

^zInternational Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zHigh Power Density

^z175°C Rated

^zExtremely Rugged

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zMotor Drives

^zSMPS

5.5

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

100 μA

1 mA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.66

1.97

1.85

DS100334A(01/13)

12 3 4 5 6 7

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IXXH30N60B3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXSH20N60B2D1	IXYS	类似代替	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
IXSH30N60AU1	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capa

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXH30N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N65C4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH40N65C4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH50N60B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH50N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60C3	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH50N60C3D1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching

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