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IXSH20N60B2D1

更新时间： 2024-11-05 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	592K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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IXSH20N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	35 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	390 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	Base Number Matches：	1

IXSH20N60B2D1 数据手册

IXSH 20N60B2D1

V_CES= 600 V

I_C25= 35 A

V_CE(sat)= 2.5 V

High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

I_C110

I_F(110)

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 82Ω

I_CM= 32

µs

C^Gla^Emped inductive load

@ 0.8 V_CES

Features

t_SC

(SCSOA)

= 15 V, V = 360 V, T = 125°C

R^G_G^E= 82 Ω, n^Co^En repetitive^J

T_C= 25°C

• International standard package

• Guaranteed Short Circuit SOA

capability

P_C

190

• Low V_CE(sat)

T_J

-55 ... +150

150

°C

- for low on-state conduction losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

T_JM

T_stg

-55 ... +150

- drivesimplicity

• Fast fall time for switching speeds

up to 20 kHz

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering for 10s

300

°C

260

°C

Applications

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Welding

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 750 µA, V_CE= V_GE

600

3.5

Advantages

6.5

• High power density

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

µA

0.6 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE

20 V

100

2.5

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15 V

DS99174(10/04)

12 3 4 5 6

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IXSH20N60B2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXXH30N60B3D1	IXYS	类似代替	XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode

与IXSH20N60B2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH20N60U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH24N60	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXSH24N60A	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXSH24N60AU1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60AU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 48A I(C) \| TO-263VAR
IXSH24N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXSH24N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXSH24N60C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IXSH24N60CD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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