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IXSH30N60AU1 PDF预览

IXSH30N60AU1

更新时间： 2024-11-20 21:54:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capability

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IXSH30N60AU1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：200 W
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：680 ns
标称接通时间 (ton)：190 nsVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

IXSH30N60AU1 数据手册

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VCES  
IC25 VCE(sat)  
Low VCE(sat) IGBT with Diode  
High Speed IGBT with Diode  
IXSH30N60U1  
IXSH30N60AU1  
600V 50 A 2.5V  
600V 50 A 3.0V  
CombiPacks  
Short Circuit SOA Capability  
TO-247 AD  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
50  
30  
A
A
A
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
100  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TJ = 125°C, RG = 33 W  
Clamped inductive load, L = 100 mH  
ICM = 60  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C  
RG = 33 W, non repetitive  
10  
ms  
W
• Internationalstandardpackage  
JEDEC TO-247 AD  
• High frequency IGBT with guaranteed  
Short Circuit SOA capability  
• IGBT and anti-parallel FRED in one  
package  
PC  
TC = 25°C  
200  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
• 2nd generation HDMOSTM process  
• Low VCE(sat)  
-55 ... +150  
Md  
Mountingtorque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
- for low on-state conduction losses  
• MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Weight  
6
g
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 750 mA, VGE = 0 V  
600  
5
V
V
IC = 2.5 mA, VCE = VGE  
8
Advantages  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
500 mA  
mA  
8
• Space savings (two devices in one  
package)  
• Easy to mount with 1 screw  
(isolatedmountingscrewhole)  
• Reduces assembly time and cost  
• High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
30N60U1  
30N60AU1  
2.5  
3.0  
V
V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92714F(12/96)  
1 - 6  
123456

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IXSH30N60AU1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXXH30N60B3D1 IXYS

类似代替

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