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IXSH40N60

更新时间： 2024-09-28 22:05:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
High Speed IGBT

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IXSH40N60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	225 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXSH40N60 数据手册

IXSH 40N60B V_CES

IXST 40N60B I_C25

= 600V

High Speed IGBT

75A

2.2V

V_CE(sat)

Short Circuit SOA Capability

t_{fi typ}

= 100 ns

Preliminary data

TO-247AD(IXSH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

(TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (D3) ( IXST)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

(TAB)

T_C= 25°C, 1 ms

150

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 2.7 W

Clamped inductive load, V_CC= 0.8 V_CES

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

G = Gate

E = Emitter

TAB = Collector

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

P_C

T_C= 25°C

280

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• Internationalstandardpackages

• Guaranteed Short Circuit SOA

capability

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

• Low V_CE(sat)

Weight

- for low on-state conduction losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drivesimplicity

• Fast Fall Time for switching speeds

up to 50 kHz

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

• AC and DC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Welding

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

600

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 mA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.2

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98521B(7/00)

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