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IXSH35N120A

更新时间： 2024-11-05 22:45:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
High Voltage, High speed IGBT

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IXSH35N120A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1100 ns	标称接通时间 (ton)：	230 ns
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

IXSH35N120A 数据手册

High Voltage,

High speed IGBT

IXSH 35N120A V_CES

= 1200 V

= 70 A

I_C25

V_CE(sat)= 4 V

Short Circuit SOA Capability

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 70

@ 0.8 V_CES

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 0.6 • V_CES, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

300

●

Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247

T_J

-55 ... +150

150

°C

●

High frequency IGBT with guaranteed

Short Circuit SOA capability

Fast Fall Time for switching speeds

up to 20 kHz

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

●

Weight

- forminimumon-stateconduction

losses

MOS Gate turn-on

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

●

- drive simplicity

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

●

AC motor speed control

DC servo and robot drive

Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

Switch-modeandresonant-mode

●

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

1200

●

powersupplies

Welding

●

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400 mA

1.2 mA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

●

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

●

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92774E (12/96)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH35N120AU1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXSH35N120B	IXYS	获取价格	IGBT
IXSH35N120BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXSH35N135A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.35KV V(BR)CES \| 70A I(C) \| TO-247AD
IXSH35N140A	IXYS	获取价格	High Voltage, High speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH40N60	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
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