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IXSH50N60B

更新时间： 2024-11-08 21:54:55

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页	77K
描述
Short Circuit SOA Capability

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IXSH50N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	230 ns	标称接通时间 (ton)：	70 ns
Base Number Matches：	1

IXSH50N60B 数据手册

IXSH 50N60B

IGBT High Speed

= 600 V

= 75 A

= 2.5 V

`bp

`OR

Short Circuit SOA Capability

`bEë~íF

mêÉäáãáå~êó=Ç~í~=ëÜÉÉí

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

`=Eq^_F

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C, limited by leads

T_C= 90°C

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

Clamped inductive load, L = 30 µH

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

µs

Features

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 22 Ω, non repetitive

ꢀ

International standard package

JEDEC TO-247 AD, and

TO-247 SMD for surface mount

Guaranteed Short Circuit SOA

capability

High frequency IGBT

Latest generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

P_C

T_C= 25°C

250

ꢀ

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

ꢀ

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

- for minimum on-state conduction

losses

MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 SMD

TO-247

ꢀ

- drive simplicity

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

ꢀ

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

ꢀ

Switch-mode and resonant-mode

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

600

power supplies

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

ꢀ

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

ꢀ

V_CE(sat)

I_C= I_C90; V_GE= 15 V

2.2

2.5

«=NVVV=fuvp=^ää=êáÖÜíë=êÉëÉêîÉÇ

VTROQ_=EQLVVF

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXSK30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXSK30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXSK35N120AU1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with Diode
IXSK35N120BD1	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSK40N60BD1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-264AA
IXSK40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60BU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode

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