Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1

更新时间： 2024-11-08 22:05:11

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IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管高压栅局域网
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描述
HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

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IXSK35N120BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	580 ns
标称接通时间 (ton)：	67 ns	Base Number Matches：	1

IXSK35N120BD1 数据手册

High Voltage

IGBT with Diode

IXSK 35N120BD1

IXSX 35N120BD1

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 70 A

V_CE(SAT)= 3.6 V

Short Circuit SOA Capability

Preliminary data sheet

TO-264 AA

(IXSK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUSTO-247^TM

(IXSX)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

C (TAB)

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 5 W

I_CM= 90

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

G = Gate,

C = Collector,

E=Emitter,

TAB = Collector

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 720 V, T_J= 125°C

R_G= 5 W, non repetitive

Features

Hole-less TO-247 package for clip

mounting

P_C

T_C= 25°C

IGBT

Diode

300

190

T_J

-55 ... +150

150

°C

High frequency IGBT and anti-parallel

FRED in one package

Low V_CE(sat)

- for minimum on-state conduction

losses

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Weight

TO-264

PLUS247

Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1200

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

Advantages

T_J= 125°C

Space savings (two devices in one

package)

Reduces assembly time and cost

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.6

Device must be heatsunk for high temperature measurements to avoid thermal runaway.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

98733 (7/00)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSK40N60BD1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-264AA
IXSK40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60BU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK80N60B	IXYS	获取价格	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXSM17N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 17A I(C) \| TO-204
IXSM17N100A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
IXSM20N60	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE, TO-204AE,
IXSM20N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE

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