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IXSN50N60BD2

更新时间： 2024-09-30 20:04:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网电动机控制栅开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN

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IXSN50N60BD2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-227
包装说明：SOT-227B, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
其他特性：FAST SWITCHING外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：8 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：460 ns
标称接通时间 (ton)：140 nsBase Number Matches：1

IXSN50N60BD2 数据手册

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IXSN 50N60BD2  
IXSN 50N60BD3  
VCES = 600 V  
IC25 = 75 A  
VCEsat) = 2.5 V  
HIGH Speed IGBT  
with HiPerFRED  
Short Circuit SOA Capability  
Buck & boost configurations  
tfi  
= 150 ns  
Preliminary data  
...BD2  
...BD3  
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol TestConditions  
MaximumRatings  
1
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
2
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
4
IC25  
TC = 25°C  
75  
50  
A
A
A
A
3
IC90  
TC = 90°C  
IXSN50N60BD2  
1 = Emitter; 2 = Gate  
3 = Collector; 4 = Diode cathode  
ICM  
TC = 25°C, 1 ms  
200  
SSOA  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
ICM = 100  
(RBSOA) Clamped inductive load, L = 30 mH  
tSC VGE = 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C  
(SCSOA) RG = 22 W, non repetitive  
@ 0.8 VCES  
IXSN50N60BD3  
1 = Emitter/Diode Cathode; 2 = Gate  
3 = Collector; 4 = Diode anode  
10  
ms  
PC  
TC = 25°C  
250  
600  
W
V
VRRM  
IFAVM  
IFRM  
PD  
Features  
TC = 70°C; rectangular, d = 50%  
tP z<10 ms; pulse width limited by TJ  
TC = 25°C  
60  
A
600  
A
• Internationalstandardpackage  
miniBLOC  
150  
W
°C  
°C  
°C  
• Aluminiumnitrideisolation  
- highpowerdissipation  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Very high current, fast switching  
IGBT & FRED diode  
TJ  
-40 ... +150  
150  
TJM  
Tstg  
Md  
-40 ... +150  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque(M4)  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
• MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Weight  
30  
g
• Low collector-to-case capacitance  
• Low package inductance (< 10 nH)  
- easy to drive and to protect  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
Applications  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 3 mA, VGE = 0 V  
IC = 4 mA, VCE = VGE  
600  
4
V
V
8
• Buck converters  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
350 mA  
mA  
Advantages  
5
• Easy to mount with 2 screws  
• Space savings  
• High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
2.5  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
2.2  
V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98675(4/18/2000)  
1 - 5  
12345

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与IXSN50N60BD2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXSN50N60BD3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN
IXSN50N60U1 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
IXSN51N60AU1 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
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