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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 45 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 8 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 205 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 205 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSN50N100AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN50N120AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN50N60BD2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
|
| IXSN50N60BD3 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
|
| IXSN50N60U1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN51N60AU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN52N60AU1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
|
| IXSN55N100U1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN55N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXSN55N120A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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