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IXSK80N60B

更新时间： 2024-01-20 05:12:03

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	47K
描述
High Current IGBT Short Circuit SOA Capability

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IXSK80N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	120 ns	Base Number Matches：	1

IXSK80N60B 数据手册

IXSK 80N60B

IXSX 80N60B

V_CES= 600 V

I_C25= 160 A

V_CE(sat)= 2.5 V

High Current IGBT

Short Circuit SOA Capability

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM

(IXSX)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

600

V_CES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

TO-264 AA

(IXSK)

I_C25

I_C90

I_L(RMS)

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

(silicon chip capability)

160

300

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 160

@ 0.8 V_CES

(TAB)

tsc

SCSOA

V_GE= 15 V, V_CE= 0.6 V_CES,T_J= 125°C

R_G= 5 Ω, non-repetitive

µs

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^!International standard packages

^!Very high current, fast switching IGBT

^!Low V_CE(sat)

- for minimum on-state conduction

losses

^!MOS Gate turn-on

- drive simplicity

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

DC servo and robot drives

min. typ. max.

DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 500 µA, V_GE= 0 V

600

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

I_C= 8 mA, V_CE= V_GE

power supplies

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±200

Space savings

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.5

High power density

98721B (07/02)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSM17N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 17A I(C) \| TO-204
IXSM17N100A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
IXSM20N60	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE, TO-204AE,
IXSM20N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE
IXSM25N100	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM35N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 35A I(C) \| TO-204AE
IXSM35N100A	IXYS	获取价格	High speed IGBT

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