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IXSM30N60

更新时间： 2024-11-08 22:47:59

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	244K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

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IXSM30N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1140 ns	标称接通时间 (ton)：	190 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXSM30N60 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High Speed IGBT

600 V 50 A 2.5 V

600 V 50 A 3.0 V

IXSH/IXSM 30N60

IXSH/IXSM 30N60A

Short Circuit SOA Capability

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXSM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 4.7 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 60

@ 0.8 V_CES

µs

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 33 Ω, non repetitive

P_C

T_C= 25°C

200

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

International standard packages

Guaranteed Short Circuit SOA

capability

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Low V_CE(sat)

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast Fall Time for switching speeds

up to 20 kHz

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

600

AC motor speed control

Uninterruptible power supplies (UPS)

Welding

I_C= 2.5 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

30N60

30N60A

2.5

3.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91549H (9/98)

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与IXSM30N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSM30N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM35N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 35A I(C) \| TO-204AE
IXSM35N100A	IXYS	获取价格	High speed IGBT
IXSM40N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM40N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM45N100	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSN30N100AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 34A I(C) \| SOT-227B
IXSN35N100AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 80A I(C)
IXSN35N100U1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with Diode

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