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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 17 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSM20N60 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE, TO-204AE, |
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| IXSM20N60A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
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| IXSM25N100 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSM25N100A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSM30N60 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSM30N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSM35N100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-204AE |
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| IXSM35N100A | IXYS |
获取价格 |
High speed IGBT |
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| IXSM40N60 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSM40N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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