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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSN35N100U1
IXSN35N100U1 PDF预览

IXSN35N100U1

更新时间： 2024-02-16 13:39:02
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 84K
描述
IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability

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IXSN35N100U1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-227
包装说明：SOT-227B, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：34 A集电极-发射极最大电压：1000 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：8 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：205 W最大功率耗散 (Abs)：205 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：2800 ns
标称接通时间 (ton)：230 nsVCEsat-Max：3.5 V
Base Number Matches：1

IXSN35N100U1 数据手册

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IGBT with Diode  
IXSN 35N100U1 VCES  
= 1000 V  
= 38 A  
IC25  
VCE(sat) = 3.5 V  
High Short Circuit SOA Capability  
3
2
4
1
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
miniBLOC, SOT-227 B  
1
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
A
2
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
4
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
38  
25  
50  
A
A
A
3
TC = 90°C  
1 = Emitter,  
2 = Gate,  
3 = Collector  
TC = 25°C, 1 ms  
4 = Kelvin Emitter  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 Ω  
Clamped inductive load, L = 30 µH  
ICM = 50  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 0.6 • VCES, TJ = 125°C  
RG = 22 Ω, non repetitive  
10  
µs  
●
International standard package  
miniBLOC (ISOTOP) compatible  
Isolation voltage 3000 V~  
2nd generation HDMOSTM process  
- for high short circuit SOA  
Low VCE(sat)  
●
●
PC  
TC = 25°C  
205  
W
VISOL  
50/60 Hz  
IISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
●
- for minimum on-state conduction  
losses  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Fast RecoveryEpitaxial Diode  
(FRED)  
- short trr and IRM  
Low collector-to-case capacitance  
(< 50 pF)  
TJ  
-40 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
●
●
TJM  
Tstg  
-40 ... +150  
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque (M4)  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
●
Weight  
30  
g
- reducesd RFI  
Low package inductance (< 10 nH)  
●
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
- easy to drive and to protect  
min. typ. max.  
Applications  
●
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 6 mA, VGE = 0 V  
IC = 10 mA, VCE = VGE  
1000  
5
V
V
●
8
●
●
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
750 µA  
15 mA  
●
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±500 nA  
Advantages  
●
Space savings  
Easy to mount with 2 screws  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
3.5  
V
●
●
High power density  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© IXYS Corporation. All rights reserved.  
93005C (7/94)  
IXYSCorporation  
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054  
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670  
IXYSSemiconductorGmbH  
Edisonstr. 15, D-68623Lampertheim  
Phone:+49-6206-503-0, Fax:+49-6206-503627  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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