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IXSN35N120AU1

更新时间： 2024-01-24 00:25:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
High Voltage IGBT with Diode

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IXSN35N120AU1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-227
包装说明：SOT-227B, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.8
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：8 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：300 W
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：35
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1100 ns标称接通时间 (ton)：230 ns
VCEsat-Max：4 V

IXSN35N120AU1 数据手册

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High Voltage  
IGBT with Diode  
IXSN 35N120AU1 VCES  
= 1200 V  
= 70 A  
IC25  
VCE(sat) = 4 V  
3
2
4
1
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
miniBLOC, SOT-227 B  
1
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
A
2
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
4
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
70  
35  
A
A
A
3
TC = 90°C  
1 = Emitter ,  
2 = Gate,  
3 = Collector  
4 = Emitter   
TC = 25°C, 1 ms  
140  
 Either Emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
Clamped inductive load, L = 30 mH  
ICM = 70  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 0.6 • VCES, TJ = 125°C  
RG = 22 W, non repetitive  
10  
ms  
●
●
Internationalstandardpackage  
miniBLOC(ISOTOP)compatible  
Aluminium-nitrideisolation  
- highpowerdissipation  
Isolation voltage 3000 V~  
Low VCE(sat)  
PC  
PD  
TC = 25°C  
IGBT  
Diode  
300  
175  
W
W
●
●
VISOL  
50/60 Hz  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
- forminimumon-stateconduction  
losses  
Fast RecoveryEpitaxial Diode  
- short trr and IRM  
Low collector-to-case capacitance  
(< 50 pF)  
- reducesd RFI  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
●
●
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque(M4)  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
●
Low package inductance (< 10 nH)  
- easy to drive and to protect  
Weight  
Symbol  
30  
g
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
●
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
●
BVCES  
VGE(th)  
IC = 5 mA, VGE = 0 V  
IC = 4 mA, VCE = VGE  
1200  
4
V
V
●
●
8
●
Switch-modeandresonant-mode  
ICES  

VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
750 mA  
15 mA  
powersupplies  
Advantages  
IGES  
VCE(sat)  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
●
Space savings  
Easy to mount with 2 screws  
●
IC = IC90, VGE = 15 V  
4
V
●
High power density  
‚ Device must be heat sunk during high temperature leackage test to avoid thermal runaway.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92519E (12/96)  
1 - 4  
1234

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IXSN35N120AU1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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