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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSN50N60BD2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN50N60BD3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN50N60U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN51N60AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN52N60AU1 | IXYS |
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IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN55N100U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN55N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXSN55N120A | IXYS |
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High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN55N120AU1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN55N120U1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B |
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