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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 80 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSN35N100U1 | IXYS |
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IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN35N120AU1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode |
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| IXSN35N120AU2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN35N120AU3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN35N120U1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN40N60AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN50N100AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN50N120AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN50N60BD2 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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| IXSN50N60BD3 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SOT-227B, 4 PIN |
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