Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSH30N60B2D1

IXSH30N60B2D1

更新时间： 2024-09-16 12:28:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	522K
描述
High Speed IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXSH30N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	48 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	436 ns	标称接通时间 (ton)：	80 ns
Base Number Matches：	1

IXSH30N60B2D1 数据手册

High Speed IGBT

with Diode

IXSH 30N60B2D1

IXST 30N60B2D1

V_CES= 600 V

I_C25= 48 A

V_CE(sat)= 2.5 V

Short Circuit SOA Capability

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

T_C= 25°C

I_C110

I_F(110)

I_CM

T_C= 110°C

TO-268 (IXST)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 48

@ 0.8 V_CES

µs

Clamped inductive load

C (TAB)

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 10 Ω, non repetitive

P_C

T_C= 25°C

250

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

• International standard package

• Guaranteed Short Circuit SOA

capability

Weight

TO-247

TO-268

• Low V_CE(sat)

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering for 10s

300

260

°C

- for low on-state conduction losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

• Fast fall time for switching speeds

up to 20 kHz

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Welding

V_GE(th)

I_CES

I_C= 750 µA, V_CE= V_GE

4.0

7.0

Advantages

• High power density

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

150

µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE

20 V

100

2.5

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15 V

DS99249(10/04)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXSH30N60B2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXXH30N60B3D1	IXYS	类似代替	XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode

与IXSH30N60B2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXSH30N60C	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXSH30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXSH30N60U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capa
IXSH35N100	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
IXSH35N100A	IXYS	获取价格	High speed IGBT
IXSH35N120A	IXYS	获取价格	High Voltage, High speed IGBT
IXSH35N120AU1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXSH35N120B	IXYS	获取价格	IGBT
IXSH35N120BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,

与IXSH30N60B2D1相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

89
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXSH30N60B2D1

IXSH30N60B2D1 技术参数

IXSH30N60B2D1 数据手册

IXSH30N60B2D1 替代型号

与IXSH30N60B2D1相关器件

与IXSH30N60B2D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXSH30N60B2D1

IXSH30N60B2D1 技术参数

IXSH30N60B2D1 数据手册

IXSH30N60B2D1 替代型号

与IXSH30N60B2D1相关器件

与IXSH30N60B2D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？