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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSH30N60CD1
IXSH30N60CD1 PDF预览

IXSH30N60CD1

更新时间： 2024-11-05 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Short Circuit SOA Capability

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IXSH30N60CD1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：270 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：290 ns标称接通时间 (ton)：70 ns
Base Number Matches：1

IXSH30N60CD1 数据手册

 浏览型号IXSH30N60CD1的Datasheet PDF文件第2页 
High Speed IGBT with Diode  
IXSH30N60CD1  
IXSK30N60CD1  
IXST30N60CD1  
VCES = 600 V  
IC25 55 A  
VCE(sat) = 2.5 V  
=
Short Circuit SOA Capability  
tfi  
= 70 ns  
Preliminary data  
TO-247AD  
(IXSH)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
G
C
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
TO-268 (D3)  
(IXST)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
G
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
55  
30  
A
A
A
TC = 90°C  
TO-264  
(IXSK)  
TC = 25°C, 1 ms  
110  
SSOA  
VGE= 15 V, TJ = 125°C, RG = 10 W  
ICM = 60  
A
(RBSOA)  
Clamped inductive load, VCL = 0.8 VCES  
G
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C  
RG = 33 W, non repetitive  
10  
ms  
W
C
E
G = Gate  
C = Collector  
TAB = Collector  
PC  
TC = 25°C  
200  
E = Emitter  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
• Internationalstandardpackages:  
JEDEC TO-247, TO-264& TO-268  
• Short Circuit SOA capability  
-55 ... +150  
Md  
Mountingtorque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
• High freqeuncy IGBT and anti-  
parallel FRED in one package  
Weight  
6
g
• New generation HDMOSTM process  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 750 mA, VGE = 0 V  
600  
4
V
V
IC = 2.5 mA, VCE = VGE  
7
Advantages  
• Space savings (two devices in one  
package)  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
200 mA  
mA  
3
• Easy to mount with 1 screw  
(isolatedmountingscrewhole)  
• Surface mountable, high power case  
style  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
2.5  
VCE(sat)  
VGE = 15 V  
IC = IC90  
V
• Reduces assembly time and cost  
• High power density  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98518A(7/00)  
1 - 2  
12

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IXSH30N60CD1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50UD-EPBF INFINEON

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