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IXSH35N120B PDF预览

IXSH35N120B

更新时间： 2024-09-15 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
IGBT

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IXSH35N120B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：580 ns
标称接通时间 (ton)：67 ns

IXSH35N120B 数据手册

 浏览型号IXSH35N120B的Datasheet PDF文件第2页 
IXSH 35N120B  
IXST 35N120B  
IC25  
= 70 A  
= 1200 V  
IGBT  
VCES  
VCE(sat) = 3.6 V  
"S" Series - Improved SCSOA Capability  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247AD(IXSH)  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
J
J
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
GE  
(TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
70  
35  
A
A
A
C
TO-268 ( IXST)  
T
= 90°C  
C
T
= 25°C, 1 ms  
140  
C
G
E
SSOA  
(RBSOA)  
V
= 15 V, T = 125°C, R = 5 Ω  
Clamped inductive load  
I = 90  
CM  
A
µs  
W
GE  
J
G
(TAB)  
@ 0.8 V  
CES  
tSC  
T = 125°C, V = 720 V; V = 15 V, R = 22 Ω  
10  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TAB = Collector  
J
CE  
GE  
G
PC  
T
= 25°C  
300  
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
l
-55 ... +150  
Epitaxial Silicon drift region  
- fast switching  
- small tail current  
Md  
Mounting torque  
(TO-247)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
MOS gate turn-on for drive simplicity  
Applications  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
• Switched-mode and resonant-mode  
J
power supplies  
min. typ. max.  
• DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 1.0 mA, V = 0 V  
1200  
3
V
V
C
GE  
I
= 250 µA, V = V  
GE  
6
C
CE  
ICES  
V
Note 1  
= 0.8 V  
T = 25°C  
50 µA  
2.5 mA  
CE  
CES  
J
T = 125°C  
J
IGES  
V
= 0 V, V = ±20 V  
±100 nA  
CE  
GE  
VCE(sat)  
I = I  
Note 2  
V
= 15 V  
T = 25°C  
3.6  
2.9  
V
V
C
C90,  
GE  
J
T = 125°C  
J
© 2002 IXYS All rights reserved  
98669B (01/02)  
12

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与IXSH35N120B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXSH35N120BD1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXSH35N135A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
IXSH35N140A IXYS

获取价格

 		High Voltage, High speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH40N60 IXYS

获取价格

 		High Speed IGBT
IXSH40N60A IXYS

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 		Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH40N60B IXYS

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 		High Speed IGBT
IXSH45N100 IXYS

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IXSH45N120 IXYS

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 		High Voltage, Low VCE(sat) IGBT
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 		High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability
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获取价格

 		Short Circuit SOA Capability

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