IXSH45N120B

更新时间： 2024-11-09 12:27:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXSH45N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1140 ns	标称接通时间 (ton)：	67 ns
Base Number Matches：	1

IXSH45N120B 数据手册

IXSH 45N120B

IXST 45N120B

"S" Series - Improved SCSOA Capability

HighVoltageIGBT

I_C25

= 75 A

= 1200 V

V_CES

V_CE(sat)= 3.0 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 90°C

TO-268 ( IXST)

T_C= 25°C, 1 ms

180

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 5 W

Clampedinductiveload

I_CM= 90

@ 0.8 V_CES

t_SC

T_J= 125°C, V_GE= 720 V; V_GE= 15 V, R_G= 5 W

T_C= 25°C

G = Gate

C = Collector

TAB = Collector

S = Emitter

P_C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• EpitaxialSilicondriftregion

- fastswitching

- small tail current

Weight

• MOS gate turn-on for drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1.0 mA, V_GE= 0 V

1200

• Welding

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

Note 1

50 mA

2.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90,V_GE= 15 V

Note 2

2.5

2.6

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98713A(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXSH45N120B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH50N60B	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXSH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXSK30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXSK30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXSK35N120AU1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with Diode
IXSK35N120BD1	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSK40N60BD1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-264AA
IXSK40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSK50N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode

与IXSH45N120B相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXSH45N120B

IXSH45N120B 技术参数

IXSH45N120B 数据手册

与IXSH45N120B相关器件

与IXSH45N120B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXSH45N120B

IXSH45N120B 技术参数

IXSH45N120B 数据手册

与IXSH45N120B相关器件

与IXSH45N120B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？