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IXSH35N140A

更新时间： 2024-02-20 21:00:36

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	522K
描述
High Voltage, High speed IGBT - Short Circuit SOA Capability

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IXSH35N140A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	1400 V
配置：	SINGLE	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	640 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

IXSH35N140A 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

4 V

High Voltage,

IXSH 35N140A 1400 V 70 A

High speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

Symbol

V_CES

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

T_J= 25°C to 150°C

1400

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

1400

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E = Emitter,

SSOA

= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 Ω

I_CM= 70

@ 960

(RBSOA)

C^Gla^Emped inductive load

t_SC

= 15 V, V = 840 V, T = 125°C

µs

R^G_G^E= 22 W, n^Co^En repetitive^J

T_C= 25°C

Features

(SCSOA)

P_C

300

• International standard package

• ^JH^Eig^Dh^Ef^Cre^Tq^Ou^-e²n⁴c⁷y IGBT with guaranteed

• F^Sa^hs^ot^rtF^Caⁱl^rl^cT^uiⁱm^{t S}e^Ofo^Ar ^cs^aw^pit^ac^bhⁱi^ln^itg^yspeeds

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• 2^un^pd^tog²e⁰ne^kr^Hat^zion HDMOS^TMprocess

• Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- for minimum on-state conduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drive

• Uninterruptible power supplies (UPS)

V_GE(th)

I_CES

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

4.5

6.5

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_CE= 1400 V

V_GE= 0 V

T = 25°C

µA

T_J^J= 125°C

• Welding

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100

Advantages

V_CE(sat)

3.4

• Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

• High power density

DS92716I(06/03)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXBH40N160	IXYS	类似代替	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSH40N60	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXSH40N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH40N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
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IXSH45N120B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability
IXSH50N60B	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXSH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXSK30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXSK30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability

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