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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.87 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 35 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSH35N100A | IXYS |
获取价格 |
High speed IGBT |
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| IXSH35N120A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High speed IGBT |
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| IXSH35N120AU1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD, |
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| IXSH35N120B | IXYS |
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IGBT |
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| IXSH35N120BD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD, |
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| IXSH35N135A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD |
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| IXSH35N140A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High speed IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSH40N60 | IXYS |
获取价格 |
High Speed IGBT |
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| IXSH40N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSH40N60B | IXYS |
获取价格 |
High Speed IGBT |
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