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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSH35N120B | IXYS |
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IGBT |
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| IXSH35N120BD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD, |
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| IXSH35N135A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD |
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| IXSH35N140A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High speed IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSH40N60 | IXYS |
获取价格 |
High Speed IGBT |
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| IXSH40N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSH40N60B | IXYS |
获取价格 |
High Speed IGBT |
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| IXSH45N100 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
|
| IXSH45N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, Low VCE(sat) IGBT |
|
| IXSH45N120B | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability |
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