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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSH30N60B
IXSH30N60B PDF预览

IXSH30N60B

更新时间： 2024-09-15 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
High Speed IGBT

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IXSH30N60B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：270 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：520 ns标称接通时间 (ton)：70 ns
Base Number Matches：1

IXSH30N60B 数据手册

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V
I
t
High Speed IGBT  
CES  
CES  
fi  
IXSH/IXST 30N60B  
IXSH/IXST 30N60C  
600 V 2.0 V 140 ns  
600 V 2.5 V 70 ns  
Short Circuit SOA Capability  
TO-247 AD (IXSH)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
J
J
(TAB)  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
GE  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-268 (D3) ( IXST)  
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
55  
30  
A
A
A
C
T
= 90°C  
C
G
T
= 25°C, 1 ms  
110  
C
(TAB)  
S
SSOA  
(RBSOA)  
V
= 15 V, T = 125°C, R = 2.7 Ω  
Clamped inductive load, V = 0.8 V  
I = 60  
CM  
A
µs  
W
GE  
J
G
@ 0.8 V  
CES  
G = Gate  
S = Source  
CC  
CES  
TAB = Drain  
tSC  
(SCSOA)  
V
= 15 V, V = 360 V, T = 125°C  
10  
GE  
CE  
J
R
= 33 Ω, non repetitive  
= 25°C  
G
PC  
T
200  
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
l
International standard packages  
Short Circuit SOA capability  
High frequency IGBT  
Md  
Mounting torque  
(TO-247)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
l
l
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
TM  
New generation HDMOS process  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
l
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
l
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
l
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
J
l
min. typ. max.  
l
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, V = 0 V  
600  
4
V
V
C
GE  
I
= 2.5 mA, V = V  
GE  
7
C
CE  
Advantages  
ICES  
V
V
= 0.8 V  
= 0 V  
T = 25°C  
100 µA  
mA  
CE  
CES  
J
l
Easy to mount with 1 screw  
(isolated mounting screw hole)  
T = 125°C  
1
GE  
J
l
Surface mountable, high power case  
style  
Reduce assembly time and cost  
High power density  
IGES  
V
= 0 V, V = ±20 V  
±100 nA  
CE  
GE  
l
VCE(sat)  
V
= 15 V; I = I  
C90  
30N60B  
30N60C  
2.0  
2.5  
V
V
GE  
C
l
© 2001 IXYS All rights reserved  
98519B (11/01)  
1234

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与IXSH30N60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXSH30N60B2D1 IXYS

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 		High Speed IGBT with Diode
IXSH30N60B2D1 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXSH30N60BD1 IXYS

获取价格

 		High Speed IGBT with Diode
IXSH30N60C IXYS

获取价格

 		High Speed IGBT
IXSH30N60CD1 IXYS

获取价格

 		Short Circuit SOA Capability
IXSH30N60U1 IXYS

获取价格

 		Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capa
IXSH35N100 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
IXSH35N100A IXYS

获取价格

 		High speed IGBT
IXSH35N120A IXYS

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 		High Voltage, High speed IGBT
IXSH35N120AU1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), N-Channel, TO-247AD,

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