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IXXH150N60C3

更新时间： 2024-11-19 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 250K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXXH150N60C3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
600V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
IXXH150N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 150A  
VCE(sat)  2.5V  
tfi(typ) = 75ns  
Extreme Light Punch through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
Tab  
=
E
IC25  
ILRMS  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
300  
160  
A
A
G = Gate  
C
Collector  
E = Emitter  
Tab = Collector  
IC110  
ICM  
TC = 110°C  
150  
700  
A
A
TC = 25°C, 1ms  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
75  
A
750  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
ICM = 300  
A
μs  
W
(RBSOA)  
VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
International Standard Package  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
PC  
TC = 25°C  
1360  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
High Current Handling Capability  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
5.5  
25 A  
mA  
200 nA  
TJ = 150C  
1
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
2.1  
2.6  
2.5  
V
V
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100558A(9/16)  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH30N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60B3D1 IXYS

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 		XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode
IXXH30N60B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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IXXH30N65C4D1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH40N65C4D1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH50N60B3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60B3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH50N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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