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IXXH100N60B3

更新时间： 2024-11-05 11:08:11
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IXYS 开关双极性晶体管
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6页 172K
描述
Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30 kHz Switching

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IXXH100N60B3 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 600V  
GenX3TM  
IXXH100N60B3  
VCES = 600V  
IC110 = 100A  
VCE(sat) ≤ 1.80V  
tfi(typ) = 150ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
C
Tab  
=
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
E
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC= 25°C ( Chip Capability )  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
210  
160  
100  
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
400  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
600  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@ ≤ VCES  
z Optimized for 10-30kHz Switching  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
z
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
z
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
z
PC  
TC = 25°C  
830  
z
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Package  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE= 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE= 0V  
V
V
z
5.5  
z
z
25 μA  
z
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
2 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.50  
1.77  
1.80  
V
V
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100284(12/10)  
123456

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IXXH100N60B3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXSX80N60B IXYS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IXXH100N60C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH110N65B4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH110N65C4 LITTELFUSE

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