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IXSX80N60B

更新时间： 2024-02-21 14:05:26

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
High Current IGBT Short Circuit SOA Capability

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IXSX80N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	450 ns	标称接通时间 (ton)：	120 ns
Base Number Matches：	1

IXSX80N60B 数据手册

IXSK 80N60B

IXSX 80N60B

V_CES= 600 V

I_C25= 160 A

V_CE(sat)= 2.5 V

High Current IGBT

Short Circuit SOA Capability

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM

(IXSX)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

600

V_CES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

TO-264 AA

(IXSK)

I_C25

I_C90

I_L(RMS)

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

(silicon chip capability)

160

300

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 160

@ 0.8 V_CES

(TAB)

tsc

SCSOA

V_GE= 15 V, V_CE= 0.6 V_CES,T_J= 125°C

R_G= 5 Ω, non-repetitive

µs

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^!International standard packages

^!Very high current, fast switching IGBT

^!Low V_CE(sat)

- for minimum on-state conduction

losses

^!MOS Gate turn-on

- drive simplicity

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

DC servo and robot drives

min. typ. max.

DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 500 µA, V_GE= 0 V

600

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

I_C= 8 mA, V_CE= V_GE

power supplies

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±200

Space savings

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.5

High power density

98721B (07/02)

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IXSX80N60B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXXH100N60B3	IXYS	类似代替	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30 kHz Switching
IXGX120N60B	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXDN75N120	IXYS	功能相似	High Voltage IGBT

与IXSX80N60B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA02N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA02N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA02N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTA05N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTA05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA05N100HV	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA05N100HVTRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA05N100P	IXYS	获取价格	Fast Intrinsic Diode

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