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IXUN280N10

更新时间： 2024-09-16 19:55:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

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IXUN280N10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	280 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXUN280N10 数据手册

Advanced Technical Information

IXUN 280N10

V_DSS= 100 V

I_D25= 280 A

R_DS(on)= 3.9 mΩ (typ.)

Trench Power MOSFET

Very low R_DS(on)

SOT-227 B,

miniBLOC

G = Gate

D = Drain

S = Source

KS = Kelvin Source

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

Features

T_J= 25°C to 150°C

100

• trench MOSFET

• very low on state resistance R_DSon

• fast switching

• fast body diode

• industry standard outline

• isolated package

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

280

210

• high reliability

I_D(RMS)

P_D

Package lead current limit

T_C= 25°C

150

770

Applications

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

175

-55 ... +175

°C

• automotive

• converters for fuel cells

• AC drives

• choppers to replace series dropping

resistors used for motors, heaters etc.

• DC-DC converters

• electronic switches

• replacing relays and fuses

• power supplies

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1 min

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA,

t = 1 s

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

• solar inverters

• battery supplied systems

• choppers or inverters for motor control

in hand tools

Symbol

R_DS(on)

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• battery chargers

V_GS= 10 V,

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d < 2 %

I_D= 140 A

3.9

mΩ

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

V_GH(th)

I_DSS

V_DS= V_GS,

I_D= 4 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V,

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400

µA

I_GSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

400

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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IXUN280N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXUN350N10	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXFN360N10T	IXYS	类似代替	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

与IXUN280N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXUN350N10	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXUV170N075	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXUV170N075S	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXWW11-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW13-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW14-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW22-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW25-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW27-AL	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors
IXWW34-AG	IXYS	获取价格	Silicon Chip Resistors

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