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IXFN360N10T

更新时间： 2024-09-16 12:20:15

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6页	181K
描述
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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IXFN360N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.43
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	360 A
最大漏极电流 (ID)：	360 A	最大漏源导通电阻：	0.0026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	900 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN360N10T 数据手册

GigaMOS^TMTrench

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 360A

R_DS(on)≤ 2.6mΩ

IXFN360N10T

t_rr

≤ 130ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

T_C= 25°C (Chip Capability)

360

I_LRMS

I_DM

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

900

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

T_C= 25°C

100

E_AS

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

P_D

T_C= 25°C

830

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Package

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 Minute

t = 1 Second

2500

3000

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ . Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

4.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±200 nA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

25 μA

2.5 mA

T_J= 150°C

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

2.6 mΩ

DS100088A(10/09)

12 3 4 5 6

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IXFN360N10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXUN350N10	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXUN280N10	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXFN360N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN360N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFN360N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN36N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN36N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN36N110P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN36N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN36N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN38N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN38N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN38N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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