5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.43 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 360 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 360 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 830 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 900 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXUN350N10 | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXUN280N10 | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN360N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFN360N15T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXFN36N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN36N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN36N110P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFN36N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN36N60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN38N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFN38N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN38N100Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
