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IXFN38N100P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN38N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	3.44	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1000 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN38N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 38A

R_DS(on)≤ 210mΩ

≤ 300ns

IXFN38N100P

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

I_A

T_C= 25°C

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

1000

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zEncapsulating Epoxy meets

UL94V-0, Flammability Classification

^zminiBLOCwith Aluminium Nitride

Isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zFast Recovery Diode

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

^zAvalanche Rated

^zLow package inductance

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque (M4)

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

1000

3.5

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

6.5

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

± 300 nA

50 μA

I_DSS

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

210 mΩ

DS99866B(7/09)

12 3 4 5

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IXFN38N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN44N100Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFN44N100P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFN38N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN38N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFN38N100Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
IXFN38N100Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N80Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFN38N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN39N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die
IXFN39N90	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN39N90V	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN400N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN400N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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