IXFN38N80Q2

更新时间： 2024-11-04 22:13:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R

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IXFN38N80Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	735 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN38N80Q2 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q2-Class

V_DSS

I_D25

= 800 V

38 A

IXFK 38N80Q2

IXFN 38N80Q2

IXFX 38N80Q2

R_DS(on)= 220 mΩ

t_rr≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Low intrinsic R_g

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM(IXFX)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

150

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

TO-264 AA (IXFK)

E_AR

E_AS

= 25°C

4.0

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

735

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

E153432

T_L

1.6mm (0.063in) from case for 10s (Plus247, TO-264) 300

°C

V_ISOL

50/60Hz, RMS t =1 min

_ISOL< 1mA t = 1s

SOT-227B

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal torque

TO-264

SOT-227B

0.9/8 Nm/lb.in.

1.5/13 Nm/ib.in.

* Either Source terminal can be used as

main or Kelvin source terminal

F_C

Mounting force

PLUS-247 22...130/5...30 N/lb

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Weight

PLUS247

TO-264

SOT-227B

Features

Double metal process for low gate

resistance

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

800

2.0

V_GS(th)

4.5

miniBLOC package version with

Aluminum Nitrate isolation

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

50 µA

V_GS= 0^DV^SS

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

220 mΩ

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^Dd²u⁵ty cycle d ≤ 2 %

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99150A(09/04)

12 3 4 5

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