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IXFN43N60

更新时间： 2024-11-05 22:45:15

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2页	85K
描述
HiPerFET Power MOSFET

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IXFN43N60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	43 A
最大漏极电流 (ID)：	43 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	172 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN43N60 数据手册

ADVANCEINFORMATION

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

Power MOSFET

IXFN 43N60 600V 43A

IXFN 40N60 600V 40A

IXFK 43N60 600V 43A

IXFK 40N60 600V 40A

0.13W 200ns

0.15W 200ns

0.13W 200ns

0.15W 200ns

Single MOSFET Die

TO-264 AA (IXFK)

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

IXFK IXFK IXFN

IXFN

43N60 40N60

T_J= 25°C to 150°C

600

D (TAB)

V_DGR

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

V_GSM

I_D25

E153432

T_C= 25°C

172

160

172

160

I_DM

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

560

600

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

· Internationalstandardpackages

· Encapsulating epoxy meets

UL94V-0,flammabilityclassification

· miniBLOC withAluminiumnitride

isolation

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

N/A

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

N/A

2500

3000

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

N/A

1.5/13 Nm/lb.in.

· Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

· Rugged polysilicon gate cell structure

· Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

· Low package inductance

· Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

Min. Max.

· DC-DC converters

· Synchronousrectification

· Battery chargers

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

· DC choppers

· Temperatureandlightingcontrols

· Low voltage relays

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

V_DSS

V_GH(th)

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

600

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_GE= 0

±200

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

400

Advantages

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms,

43N60

40N60

0.13

0.15

· Easy to mount

· Space savings

· High power density

duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97503A(7/97)

1 - 2

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