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IXFN48N60P

更新时间： 2024-09-15 11:14:03

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFN48N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.28	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN48N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFN 48N60P

V_DSS= 600 V

I_D25= 40 A

≤ 140 mΩ

t_rr^DS(on)≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

110

I_AR

T_C= 25°C

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

T_C= 25°C

625

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

3000

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5 / 13 Nm/lb.in.

^zFast recovery diode

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

3.0

5.5

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

1000

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 4 A

140 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99337E(03/06)

12 3 4

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