5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 58 A | 最大漏极电流 (ID)： | 58 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 625 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 232 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN60N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN60N60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN60N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN60N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN61N50 | IXYS |
获取价格 |
High Current Power MOSFET |
|
| IXFN62N80Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class |
|
| IXFN62N80Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
|
| IXFN64N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFN64N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET |
|
| IXFN64N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
