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IXFN73N30

更新时间： 2024-11-17 22:45:15

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN73N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.7	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	73 A
最大漏极电流 (ID)：	73 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	520 W
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	292 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN73N30 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

DSS

D25

DS(on)

IXFK 73 N 30 300 V

IXFN 73 N 30 300 V

73 A

45 mΩ

t ≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

TO-264 AA (IXFK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

IXFK

IXFN

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

292

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

500

520

G = Gate

S = Source

D=Drain

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

asMainorKelvinSource

T_JM

T_stg

Features

Internationalstandardpackages

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS t = 1 min

°C

JEDEC TO-264 AA, epoxy meet

UL94V-0,flammabilityclassification

V_ISOL

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 s

miniBLOCwithAluminiumnitride

isolation

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Ruggedpolysilicongatecellstructure

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

Lowpackageinductance

FastintrinsicRectifier

Applications

DC-DC converters

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Synchronousrectification

Batterychargers

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

DC choppers

Temperatureandlightingcontrols

Low voltage relays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

300

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

400 uA

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

45 mΩ

92805J (11/01)

12 3 4

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