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IXFN80N60P3

更新时间： 2024-11-18 20:47:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	129K
描述
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

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IXFN80N60P3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.46
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	66 A
最大漏极电流 (ID)：	66 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN80N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 66A

R_DS(on)≤ 70mΩ

IXFN80N60P3

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

International Standard Package

Low Intrinsic Gate Resistance

miniBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

960

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Rectifier

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±200 nA

I_DSS

50 μA

4 mA

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

T_J= 125°C

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 40A, Note 1

70 mΩ

DS100356(07/11)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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