IXFP12N50PM

更新时间： 2024-11-21 11:57:11

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFP12N50PM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP12N50PM 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 500V

I_D25= 6A

IXFP12N50PM

R_DS(on)≤ 500mΩ

(Electrically Isolated Tab)

t_rr

≤ 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED TO-220

(IXFP...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

600

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

Features

^ꢀPlastic overmolded tab for electrical

isolation

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

^ꢀInternational standard package

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

2.5

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

ꢀ

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

ꢀ

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

500

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

3.0

5.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

5 μA

250 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 6A, Note 1

500 mΩ

DS99510F(04/08)

12 3 4 5

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